Amplificador de Baixo Ruído (LNA)

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Amplificador de Baixo Ruído (LNA)

Amplificador de baixo ruído AL36 GaAs pHEMT MMIC

GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier

Amplificador de baixo ruído AL36 GaAs pHEMT MMIC

Características principais

● Placa de avaliação ultrabaixa NF: 0,30 dB a 850 MHz, 0,40 dB a 1.850 MHz, 0,50 dB a 2.500 MHz, 0,75 dB a 3.600 MHz
● Alto desempenho OIP3: >+34 dBm em 700 a 3800 MHz
● Corrente de alimentação ajustável de 30 a 100 mA
● Tensão de polarização flexível: 3 a 5 V
● Polarização ativa estável em termos de temperatura e processo
● Pacote DFN miniatura (8 pinos, 2 x 2 mm) (MSL1 a 260 C por JEDEC J-STD-020)

O AL36 da Sanland é um amplificador de baixo ruído (LNA) GaAs MMIC econômico e fácil de usar. O LNA possui baixo ruído e alta linearidade alcançada através do uso do processo pHEMT no modo de aprimoramento de 0,25um GaAs. Ele está alojado em um pacote miniatura de 2,0 x 2,0 x 0,75 mm3 de 8 pinos Quad-Flat-Non-Lead (QFN). O circuito de polarização ativa interno fornece desempenho estável em relação à variação de temperatura e processo. O dispositivo oferece a capacidade de ajustar externamente a corrente de alimentação. A tensão de alimentação é aplicada ao pino RFOUT/VDD através de um indutor de indutância de RF. Os pinos RFIN e RFOUT/VDD devem ser bloqueados em CC para garantir a operação adequada. O AL36 opera na faixa de frequência de 0,7 a 3,8 GHz usando um layout comum e melodias específicas de banda.

Tipo Rio abaixo
Frequência mínima (GHz) 0,7
Frequência máxima (GHz) 3.8
Ganho (dB) 15,7
S11(db)
-11
S22(db)
-19
NF(dB) 0,75
Tensão (V) 3-5
Corrente (mA) 30-100
Tipo de pacote QFN
RoHS Sim
Sem chumbo Sim
Livre de halogênio Sim ou não

 

Principais aplicações

  • Estações base macro e micro LTE, GSM, WCDMA, HSDPA
  • Receptores de ultra baixo ruído das bandas L e S
  • Repetidores celulares, DAS e RRH/RRUs
  • Aplicações de transceptores de alta temperatura até +105 °C

 

 

 

 

 

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