Amplificadores de baixo ruído MMIC · GaAs pHEMT

Amplificadores de baixo ruído para front-ends de RF de banda larga

Os amplificadores de baixo ruído GaAs MMIC da SANLAND combinam baixo ruído, alto ganho e alta linearidade para projetos compactos de receptores de RF e front-ends.

O portfólio listado abrange infraestrutura celular, redes CATV, sistemas de 5 GHz e aplicações ONU, com encapsulamentos DFN compactos e operação com fornecimento único.

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BAIXO RUÍDO

Fator de ruído (NF) listado tão baixo quanto 0,30 dB

BANDA LARGA

Opções listadas até 8,5 GHz

INTEGRAÇÃO COMPACTA

Pacotes DFN com dimensões de até 1,5 × 1,5 mm

COMPARAÇÃO DE PRODUTOS

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Compare a cobertura de frequência, o ganho, a figura de ruído, o OIP3, o P1dB, os requisitos de alimentação e o tamanho da embalagem.

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PRODUTO	CARACTERÍSTICAS DE RF			LINEARIDADE		POTÊNCIA E EMBALAGEM
Número da peça MMIC de amplificador de baixo ruído	Freqüência GHz	Ganho típico dB	Figura de ruído dB	OIP3 dBm	P1dB típico dBm	Fornecer V/mA	Pacote
AL34 Ficha técnica em PDF ↗	1,5–2,5 0,1–1,2	18 18	0,55 1	35 35	22 21	5 V 55 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL36 Ficha técnica em PDF ↗	0,7–3,8	26 a 850 MHz 21,5 a 1850 MHz 19 a 2500 MHz 15,7 a 3600 MHz	0,30 a 850 MHz 0,40 a 1850 MHz 0,50 a 2500 MHz 0,75 a 3600 MHz	34	21	3–5 V 30–100 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL37Ficha técnica em PDF ↗	0,7–3,8	26 a 850 MHz 21,5 a 1850 MHz 19 a 2500 MHz 15,7 a 3600 MHz	0,30 a 850 MHz 0,40 a 1850 MHz 0,50 a 2500 MHz 0,75 a 3600 MHz	34	21	3–5 V 30–100 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL411Ficha técnica em PDF ↗	0,6–4,2	22	0,65 a 2,6 GHz 0,7 a 3,6 GHz	35	19	5 V 65 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL415 Ficha técnica em PDF ↗	0,6–6	20	0,95 a 5,5 GHz	34	17	5 V 60 mA	DFN 2 × 2, 8L
SL16 Ficha técnica em PDF ↗	0,4–8,5	21	1,8 a 5 GHz	28	18	5 V 62 mA	DFN 2 × 2, 8L
SL18 Ficha técnica em PDF ↗	0,4–8,5	21	1,8 a 5 GHz	28	18	3,3 V 72 mA	DFN 2 × 2, 8L
SL5404Ficha técnica em PDF ↗	4,9–5,9	13	1,2 a 4,9–5,9 GHz	20	9	3,3 V 13 mA	DFN 1,5 × 1,5, 6L

CARACTERÍSTICAS

Sem chumbo, em conformidade com RoHSPara integração de produtos em conformidade com as normas ambientais.

Ganho estável em função da temperaturaGarante desempenho de radiofrequência consistente em todas as condições de operação.

Proteção ESD de 1000 V, Classe 1CCaracterística de proteção do dispositivo definida.

Operação a partir de uma única fonte de alimentaçãoSimplifica a arquitetura de energia e a integração do front-end de RF.

APLICAÇÕES

01Rede CATV

02Celular, GSM, UMTS, 5 GHz

03ONU

FOCO NO DESIGN DA LNA

Equilibrar sensibilidade, ganho e linearidade no front-end de RF.

As opções de LNA da SANLAND oferecem suporte a projetos de receptores de baixo ruído para sistemas celulares, CATV, ONU e sem fio de banda larga.

O QUE COMPARAR

Figura de ruídoFundamental para preservar a sensibilidade do receptor.

GanhoDefine a amplificação do sinal de entrada antes dos estágios posteriores.

OIP3 e P1dBIndicar linearidade e margem de RF disponível.

Fornecimento e embalagemVerificar as necessidades de polarização e as restrições de integração da placa de circuito impresso.

TECNOLOGIA E INTEGRAÇÃO

GaAs pHEMT MMICPlataforma semicondutora de baixo ruído para estágios de receptores de radiofrequência.

DFN compactoPacotes de baixo perfil para layouts de PCB de RF densos.

Fornecimento únicoSimplifica a integração de polarização e sistemas de energia.

Opções de banda largaSuporta projetos que se estendem a bandas de radiofrequência de vários GHz.

AMPLIFICADORES DE BAIXO RUÍDO MMIC

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